在存储芯片的生产制造过程中,需要进行各种可靠性试验,其中高低温冲击试验就是一项重要的测试项目,下面,我们结合实际测试要求,来看看存储芯片的高低温热冲击试验是怎么做的。
存储芯片高低温热冲击试验流程:
试验设备:环仪仪器 存储芯片高低温热冲击试验箱
试验条件:
高温80℃:30min
低温-40℃:30min
转换时间:高温和低温变化在5min内完成
试验评价方法:
1.在(新 model)新产品开发阶段(dvt),实施 100cycle 试验之后,决定下期阶段进行可能与否。
2.(量产 model)市场及工程发生品质问题时,生产技术科内部选定另外 model实施,试验 cycle 基准在1次100cycle 试验实施之后,确认无异常时,进行2 次 100 cycle 延长试验
3.在试验之前,检查样品的表面状态。
设备参数:
以上就是存储芯片的高低温热冲击试验要求,如有试验疑问,可以咨询环仪仪器相关技术人员。
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